1、计算结果表明，发射区载流子寿命的变化几乎不影响注入到基区的电子电流，但却成反比例地影响基区空穴电流。
2、因此，注入载流子在其作用层的空间分布比普通平面条形激光器窄得多，进而其增益波导也窄得多。
3、在考虑载流子的空间电荷效应、扩散效应和注入电流脉宽情况下，推导了双漂移崩越二极管的渡越角表达式。
4、利用少数载流子的稳态连续性方程和半导体材料对光的吸收，求出光电流的表达式。
5、小阱宽的量子阱虽然光学限制因子和载流子注入比例都较小，但由于其价带耦合小于宽量子阱，从而具有高的模式增益，说明量子阱的能带结构对其光学特性有决定性的作用。
6、双异质结构实现了光和载流子的完全限制，使阈值电流密度大幅度下降。
7、为了改善反向恢复特性，必须降低通态过程中靠近阳极的过剩载流子浓度。
8、当施加反向偏置电压时，形成的耗尽层厚度变大，从而使热载流子的产生减到最小。
9、与常温情况相比，低温下本征载流子浓度将随杂质浓度的上升更为剧烈地上升。
10、即使载流子的方向和布线延伸方向偏离晶轴的容易分割方向，也可以容易地把一个半导体器件分割为小片。
11、理论上基于载流子消耗机制，对激光器型波长转换器进行了小信号分析，给出了频率响应函数。
12、研究了不同辐照能量密度和不同激光波长对载流子密度和温度超快变化过程的影响规律。
13、这种材料中的载流子，许多特性都差不多可用真空中的自由电子的特性来表征。
14、研究电致发光有机薄膜中载流子的输运过程，迁移率是描述输运过程的关键物理量。
15、为减小基区电阻和防止低温载流子冻析，可增加基区浓度。
16、热载流子通过发射和吸收声子，与晶格进行能量交换。
17、而这种计算机模拟方法不仅可以得到自由光电子的衰减曲线，还可同时获得各种俘获中心中载流子的行为曲线。
18、光子探测器对不同波长的分光响应是不同的，但是存在一个由束缚和自由载流子之间的半导体能隙所确定的能阈。
19、本文提出了一种测量少数载流子寿命的方法。
20、测试晶体的吸收光谱、指数增益系数、衍射效率和有效载流子浓度。
21、实验认为，器件性能退化是由中子辐照砷化镓材料的载流子去除效应引起的。
22、这个过程与载流子浓度和晶格温度有密切关系。
23、其中，第一个晶粒间界能够最有效地减少注入饱和少数载流子电流。
24、另外试验结果也给研究有机发光二极管中载流子迁移率提供了一些线索。
25、此外，表面粗糙散射和高场散射主要影响高场下载流子迁移率。
26、指出能量转换特性的最重要的弛豫过程是电子-声子相互作用，决定了由电子载流子系统到晶格的能量转换。
27、红外等离子反射光谱与晶体材料的载流子浓度、迁移率和有效质量等参数有关。
28、平衡晶体中载流子的产生与复合处于动态平衡之中。
29、本文回顾了超声波与半导体中的载流子之间的声电相互作用。
30、在室温条件下测量电流和磁场的大小对载流子浓度和迁移率测量结果的影响。
31、以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础，得出漂移区电阻的解析模型。
32、在描述载流子输运过程的玻尔兹曼方程的碰撞项中考虑了带间跃迁的贡献，从而将它推广到存在非平衡载流子的情况。
33、在模型基础上，研究了量子化效应对反型层载流子浓度和表面电势的影响。
34、这些结果都说明：晶格结构是决定高温超导电性的因素之一，且它并不依赖于载流子浓度变化与否。
35、在此基础上，着重对阈值附近半导体激光器的载流子密度、输出功率以及阈值电流等重要特性进行了研究。
36、进一步分析认为，这是因为条宽变窄导致器件阈值电流密度、阈值载流子密度变大造成的。
37、这种光诱导剩余极化减小的疲劳，主要机理是光生载流子电畴钉扎。
38、热载流子通过发射和吸收声子,与晶格进行能量交换.
39、在LED电极欧姆接触中，载流子在金属电极和半导体间有不同的传输机制。
40、用于修饰或说明其中既有多数载流子又有少数载流子的半导体器件.
41、利用稳态速率方程,导出了激光器有源区载流子密度与偏置电流及输入信号光功率关系的隐函数表达式.
42、该模型考虑了载流子的速度饱和现象和寄生双极性晶体管的影响，获得了开态下LDMOS漂移区中的电场分布。
43、这一现象可定性地用自由载流子吸收来解释.
44、提出了一种快恢复二极管新结构:少数载流子寿命横向非均匀分布。
45、器件的发光强度有所提高，但栅压对载流子的控制作用不理想。
46、本文简明地描述了由载流子带内弛豫加宽的半经典的密度矩阵理论.
47、对于较高温度下制备的TCO薄膜，对载流子迁移率起主要作用的散射机制是带电离子散射和电中性复合粒子散射。
48、这一现象可定性地用自由载流子吸收来解释.[https：//www.chazidian.com/zj-291828/造句]
49、为了改善反向恢复特性，必须降低通态过程中靠近阳极的过剩载流子浓度。（查字典造句www.chazidian.com）
